宾夕法尼亚乡镇海谷，2025年8月28日 – iDEAL半导体公布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产物已经进入量产阶段，别的四款200 V器件现已经提供样品。
SuperQ是硅MOSFET技能于跨越25年来的初次庞大前进，冲破了持久存于的开关及导通限定。它于机能及效率方面实现了阶跃式晋升，同时保留了硅的焦点上风：结实性、高产量制造能力，以和于175 °C下的靠得住体现。
首款进入量产的200 V器件是iS20M028S1P，这是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封装。iDEAL的最低电阻200 V器件现已经于TOLL及D²PAK-7L封装中提供样品，其最年夜RDS(on)仅为5.5 mΩ。这树立了新的机能基准，其电阻比当前市场领先者低1.2倍，比次佳竞争敌手低1.7倍。
“经由过程将SuperQ扩大到200 V，iDEAL证实了硅立异远未竣事，”iDEAL半导体首席履行官兼开创人Mark Granahan暗示。“这些成果注解，咱们可以于连结硅的可制造性、靠得住性及成本上风的同时，提供最低电阻及卓着的开关机能。这是咱们公司以和但愿鞭策效率前进的客户的一个庞大里程碑。”
200 V SuperQ系列的方针运用包括机电驱动、LED照明、电池掩护、AI办事器、断绝DC/DC电源模块、USB-PD适配器及太阳能。跟着器件进入出产阶段并提供行业领先的样品，iDEAL正于加快与高增加功率市场客户的互助。
有关具体规格及可用部件编号的完备列表，包括5.5 mΩ样品器件，请拜候www.idealsemi.com。
关在iDEAL半导体
iDEAL Semiconductor Devices, Inc.是一家行业领先的下一代硅功率器件开发商。
公司建立的任务是将硅推向其感知极限。其专利SuperQ技能利用通例CMOS工艺实现冲破机能效，而不偏离硅的靠得住上风。该平台技能合用在广泛的产物、运用及半导体质料，专为减轻每一个运用的功率损耗而设计，并将为下一代提供更环保的能源利用。
iDEAL总部位在宾夕法尼亚乡镇海谷，更多信息请拜候idealsemi.com。
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